半导体失效分析-质量鉴定-司法鉴定

半导体失效分析是确保半导体器件可靠性和性能的关键技术，它通过对失效半导体芯片的深入分析，确定其失效的根本原因。失效可能由多种因素引起，包括材料缺陷、设计不足、工艺问题、环境因素或操作失误。失效分析不仅有助于工艺的不断改进和优化，修复芯片设计中的缺陷，还为故障诊断提供了关键的证据支持。它为生产测试环节提供了重要的补充，确保了产品质量和可靠性。

半导体失效分析-质量鉴定-司法鉴定

半导体失效分类

1.断裂失效：

应力腐蚀：材料在应力和腐蚀环境共同作用下发生的断裂。

高温应力断裂：材料在高温和应力长期作用下发生的断裂。

疲劳断裂：材料在反复应力作用下发生的断裂。

2.非断裂失效：

磨损失效：由于摩擦导致的材料表面磨损。

腐蚀失效：材料在化学或电化学作用下发生的损坏。

变形失效：材料在外力作用下发生的不可逆形变。

3.复合失效机理：

多种失效机理综合作用，如应力腐蚀和疲劳断裂的共同作用导致的失效。

中科检测的半导体失效分析服务

中科检测凭借其专业的技术团队和CMA资质认证，为客户提供全面的半导体失效分析服务，以下是一些具体的失效现象和分析方法：

1.开路：

EOS(电气过应力)：由于电压或电流超过器件承受范围导致的损坏。

ESD(静电放电)：静电放电造成的器件损坏。

电迁移：电流导致的金属迁移，引起线路断裂。

应力迁移：金属互连线的应力引起的断裂。

腐蚀：化学腐蚀导致的金属线路断裂。

键合点脱落：键合点因机械或热应力而脱落。

机械应力：外力导致的器件结构损坏。

热变应力：温度变化引起的应力导致器件损坏。

2.短路：

PN结缺陷：PN结区域的缺陷导致的短路。

PN结穿钉：PN结区域的穿透性缺陷。

介质击穿：绝缘材料因电应力而失效。

金属迁移：金属原子迁移导致的短路。

3.参漂：

氧化层电荷：氧化层中的电荷变化影响器件性能。

表面离子：表面吸附的离子影响器件的电性能。

芯片裂纹：芯片内部的裂纹导致性能下降。

热载流子：热载流子效应导致的器件参数变化。

辐射损伤：辐射导致的器件性能退化。

4.功能失效：

EOS、ESD：如实例一中的浪涌损坏，导致整流桥功能失效。

中科检测的半导体失效分析服务，不仅能够帮助客户找出问题的根源，还能够提供改进建议，从而提高产品的可靠性和市场竞争力。

半导体失效分析-质量鉴定-司法鉴定